原厂芯片荒仍绕不开“停电”坎，国产存储迎来机遇和挑战

　　绕不过的“停电”坎，疫情反扑芯片荒越发严重

　　原本已经很紧张的芯片荒，已经造成了存储芯片的供应短缺，却依然没能绕过这个“停电”坎。从去年底美光11号晶圆加工工厂停电一个多小时，到随后的2020年12月10日又遭遇地震，迫使其 11号晶圆工厂以及16号工厂停工，让存储芯片行业掀起了涨价的开端。而进入2021年，“停电”风波依然没能幸免。

　　今年以来，芯片缺货之势愈演愈烈，而在供应本就吃紧的形势下，作为全球芯片制造重地的中国台湾地区也接连不断地发生突发事件，包括1月联电竹科厂停电、4月台积电南科厂停电以及旱灾缺水影响芯片厂供水等等，这都无疑使本就紧张的生产供应更加艰难。而这一连串的停电事故对行业造成的影响是巨大的。

　　除了“停电”事故，疫情反扑也给芯片上游厂商造成了很大的影响。此波全球疫情大反弹，已对全球产业链造成严重影响，包括芯片制造、封测、组装以及终端各个环节均受波及，部分厂商甚至已经暂停生产。相信大家都知道中国台湾地区之于芯片产业链的重要性，不仅坐拥占全球晶圆代工产能超50% 的台积电、联电、世界先进等，在组装、封测等各个领域都有重要地位。中国台湾地区近期陆续有科技厂商传出员工确诊消息，防疫措施升级，生产工作受到一定影响。

　　据闪存市场ChinaFlashMarket不完全整理的情况来看，在中国台湾地区占有较大比重的存储芯片厂商或多或少受到了一定影响。虽说目前并未造成公司运营中断，但会间接影响交货工期以及交货风险。

　　涨价势头不减，大厂扩建不停

　　相信终端消费者已经感受到这场涨价风波带来的后续效应了，毕竟内存价格涨幅已经超过30%，用户直呼升级不起了。的确，2021年开年以来，最重要的话题莫过于“缺货和涨价”。

　　如今芯片领域上下游供应链产能紧张，短期内未看到纾缓征兆。目前供应链采用滚动式调整价格方式交易，先下单确认产能，出货前再依据市场供需状况调整出货价格。据CFM闪存市场分析，2021年 Q1全球存储芯片销售规模达341.9亿美元，环比增长6.4%；其中DRAM销售规模为194.6亿美元，同比增长30.7%，环比增长8.3%；NANDFlash销售规模为147.3亿美元，同比增长9.6%，环比增长4.1%。

　　对于消费者而言，最直观的感受是内存涨价幅度不小，且短期内并无降价趋势。且不说今年6·18 是否会给大家捡漏的机会，就DRAM目前的上游缺货紧张状况，就算能捡便宜，还得看你是否能低价抢到，抢空气内存就不那么好玩了。所以，如果近期有内存升级需求的小伙伴，可要把内存价格变动盯紧了，毕竟今年的年中大促已经拉开了序幕。

　　相比之下，NAND的供应并没有那么紧张。除了因为挖奇亚币导致大容量NANDFlash芯片颗粒的供给吃紧涨价之外，120GB~256GB容量款的价格还算稳定。业内普遍预计闪存市场今年供应将较为充足。然而，在主控等产能短缺，同时中国手机品牌商提前扩容、加大下单力度的推动下，NANDFla行情也已经开始上涨。如果缺货情况持续紧张，谁也说不好消费级小容量NANDFlash会不会也出现翻倍上涨的情况。

　　当前全球陷入“芯片荒”，业内人士普遍预测，芯片缺货的市况恐将持续到2022年，再加上汽车、5G、 AI等带动新应用需求将不断增加，各大芯片厂商提出了新建厂计划。据韩媒报道称，三星电子计划在 2021年下半年开始采购设备，半导体设备从订购到交付一般需要3到6个月，当下设备行业也出现供应紧张的情况，预计交付时间较以往延后，P3工厂在 2022年3月有望导入生产设备。另外，三星平泽工厂 P4的建设也恐将比计划提前，最早在明年将提上日程，以应对后续不断增长的市场需求。

　　美光作为全球第三大DRAM供应商，其DRAM 生产主要集中在日本广岛和中国台湾地区，尤其是持续扩大投资的DRAM卓越制造中心，包括桃园厂和台中厂，以及封测厂，A3新厂在2020年下半年就已完成了清洁室的建设，2021年上半年完成整体建设，下半年将开始投入量产1αnm（1-alpha）制程 DRAM。

　　另外，随着英特尔、台积电等纷纷在美国建厂，据外媒报道称，三星也将决定在德州奥斯汀兴建 5nm晶圆代工厂，同时投资金额从之前报道的170亿美元上调至180亿美元，而量产规划不变仍是以 2024年投产为目标，进一步扩大晶圆代工产能。

　　国产芯片崛起，机会与挑战并存

　　2020年Flash原厂主要是扩大9×层3DNAND 在市场上的普及，同时三星1XX层、西部数据/铠侠 112层、SK海力士128层、美光128层、英特尔144层 3DNAND不断提高生产比重，并积极推动在SSD产品中的应用。如今国产芯片日益崛起，在目前国家政策以及疫情影响下，国产存储也找到了更好的发展机会，同时也有更大的挑战了。

　　近两年来，长江存储技术可谓发展迅猛，自 2019年9月宣布量产64层3DNAND以来，一直致力于产品研发和产能提升，并于去年4月份发布了业内首款单颗Die容量最高达1.33Tb的128层 TLC/QLC产品。近期，亦有消息称长江存储计划最早将于2021年年中试产第一批192层3DNAND闪存芯片，尽管长江存储对此不予置评，但不可否认，至此，长江存储已经完成了从技术追赶者到业内领先水平的身份转换。

　　除了长江存储，国产DRAM 龙头合肥长鑫的动静也不小。目前已建成一座12英寸晶圆厂并投产，其生产的DDR4内存颗粒被威刚、江波龙、台电等厂商应用。长鑫内存颗粒通过了包括英特尔与 AMD主流或最新平台进行的单通道、双通道满载测试等兼容测试标准，筛选后的内存芯片还具有超频潜力。目前该公司生产的DDR4、LPDDR4X内存颗粒采用19nm 制程工艺制造， 最高频率 3200MHz，2020年起已经开始大规模对外供货。另外据消息透露，合肥长鑫规划2021年完成17nm 技术研发，加速向DDR5DRAM 产品研发。

　　虽然国产存储发展迅速，前景可观，但毕竟与国际原厂芯片的差距还是不小，要想在短期内实现更高的产能和供应还是比较困难的。不过，我们既然已经实现了从无到有，相信在不断创新、加强研发的挑战中会走得越来越顺利。同时，面临世界芯片环境的变化，消费者对于国产存储的认可度也非常高，更期望国产芯片实现国内供应自给自足。虽然这一愿望难度不小，但从目前国产芯片的快速发展势头来看，我们应该充满信心。