业界耐固性强的碳化硅功率解决方案

　　如今为商用车辆推进系统提供动力的节能充电系统，以及辅助电源系统、太阳能逆变器、固态变压器和其他交通和工业应用都依赖于高压开关电源设备。为了满足这些需求，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）近日宣布扩大其碳化硅产品组合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V 碳化硅MOSFET 裸片、分立器件和电源模块。

　　Microchip 的1700V 碳化硅技术是硅IGBT 的替代产品。由于硅IGBT 的损耗问题限制了开关频率，之前的技术要求设计人员在性能上做出妥协并使用复杂的拓扑结构。此外，电力电子系统的尺寸和重量因变压器而变得臃肿，只有通过提高开关频率才能减小尺寸。

　　新推出的碳化硅系列产品使工程师能够舍弃IGBT，转而使用零件数量更少、效率更高、控制方案更简单的两级拓扑结构。在没有开关限制的情况下，功率转换单元的尺寸和重量可以大大减少，从而腾出空间来建立更多充电站，提供更多空间搭载付费乘客和货物，或者延长重型车辆、电动巴士和其他电池驱动商业车辆的续航能力和运行时间，所有这些都可以降低整体系统成本。

　　新产品特点包括栅极氧化物稳定性，Microchip 在重复非钳位感应开关（R-UIS）测试中观察到，即使延长到 10 万个脉冲之后，阈值电压也没有发生漂移。R-UIS 测试还显示了出色的雪崩耐固性和参数稳定性，以及栅极氧化物的稳定性，实现了在系统使用寿命内的可靠运行。抗退化体二极管利用碳化硅 MOSFET 可以消除对外部二极管的需要。与IGBT 相当的短路耐受能力可经受有害的电瞬变。在结温0 至175 摄氏度范围内，相比对温度更敏感的碳化硅MOSFET，较平坦的RDS（on）曲线使电力系统能够更稳定地运行。

　　Microchip 通过AgileSwitch® 数字可编程门驱动器系列和各种分立和功率模块，以标准和可定制的形式简化了技术的采用。这些栅极驱动器有助于加快碳化硅从实验到生产的开发速度。

　　Microchip 的其他碳化硅产品包括 700V 和1200V 的MOSFET 和肖特基势垒二极管系列，提供裸片和各种分立和功率模块封装。Microchip 将内部碳化硅裸片生产与低电感功率封装和数字可编程门驱动器相结合，使设计人员能够制造出最高效、紧凑和可靠的最终产品。

　　Microchip 整体系统解决方案还包括单片机（MCU）、模拟和外设以及通信、无线和安全技术产品。