基于氮化镓器件的12 V/48 V、500 W 升压转换器演示板

　　宜普电源转换公司(EPC)宣布推出12 V输入、48 V输出、500 W的DC/DC演示板（EPC9166）。该演示板展示出瑞萨电子ISL81807 80 V两相同步升压控制器和宜普公司最新一代EPC2218 eGaN FET，在开关频率为500 kHz的12 V输入到48 V稳压输出转换中，效率超过96.5%。输出电压可配置为36 V、48 V和60 V。该板在没有散热器的情况下，可提供480 W的功率。

　　稳压DC/DC升压转换器广泛用于数据中心、计算和汽车应用，在其他输出电压中，将标称的12 V转换为48 V的配电总线。主要的趋势是朝着实现更高的功率密度发展。

　　eGaN®场效应晶体管具有快速开关、高效率和小尺寸等优势，可以满足这些前沿应用对功率密度的严格要求。EPC2218是市场上最小、效率最高的100 V的 FET。ISL81807是业界首款集成GaN驱动器的80 V双路输出/两相（单输出）同步降压控制器，可支持高达2 MHz频率。ISL81807采用电流模式控制，产生两个独立的输出或一个具有两个交错相位的输出。它支持电流共享，同步并联更多的控制器/更多的相位，提高轻负载的效率和低关断电流。ISL81807直接驱动EPC氮化镓场效应晶体管，实现设计简单、元件数量少和低成本的解决方案。

　　宜普公司首席执行官Alex Lidow说："瑞萨电子的控制器IC让工程师更容易使用氮化镓器件。我们很高兴与瑞萨电子合作，将其优越的控制器与我们的高性能氮化镓器件结合起来，共创共赢，为客户提供采用少量元件的解决方案，以提高效率、增加功率密度和降低系统成本。"

　　瑞萨电子移动、工业和基础设施电源部门副总裁Andrew Cowell说："瑞萨电子的ISL81807旨在高功率密度解决方案中，充分发挥GaN FET的高性能。ISL81807降低了GaN解决方案的BOM成本，因为它不需要MCU、电流感应运算放大器、外部驱动器或偏置电源。它还具有完全保护功能且集成了GaN驱动器。有了ISL81807，使用氮化镓场效应晶体管的设计就像使用硅基场效应晶体管一样简单。”

　　宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓（eGaN®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流- 直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。