功率集成模块采用压铸模封装，使可变速驱动更安全可靠和紧凑

　　实现此目的最常见的一种器件是转换器- 逆变器- 制动 (CIB) 模块。图1 显示了CIB 模块的基本轮廓。该模块电路包含3 部分：转换器，逆变器和制动器。CIB 的名字由这些器件的首字母-C， I 和B 而得来。在正常运行期间，转换器级的输入（图1 中的R/ S/T）从电网汲取三相功率，并将交流电调节为直流电。

　　有两种常用的三相电压：240 V 级和400 V 级; 根据电压大小，建议使用650 V CIB 模块或1200 V CIB 模块。转换器级之后，将立即将电容器连接到直流总线，以消除由使用动态功率引起的来自逆变器的电压纹波。然后，逆变器级将DC 输入斩波为 AC 输出来为电机供电。这可以通过导通和关断模块此部分中的 6-IGBT 来实现。输出电压/ 电流通过脉宽调制控制；信号被构造为产生所需的功率以所需速度和方向驱动电机。当安森美半导体定义TMPIM 电源模块的安培额定值时，电流是指逆变器部分中的IGBT 额定值。作为参考，一个1200 V 25 A TMPIM CIB 模块将提供5 kW 的电动机功率。35 A TMPIM 将输出7.5 kW；50 A 可提供10 kW，15 kW 和20 kW 的功率。重要的是要注意，通常提供千瓦输出功率额定值。如果应用使用不同的控制和冷却设置，则此额定功率可能会有很大变化。

　　因此，最大输出功率由功率模块的设计以及如何控制和冷却模块来定义。安森美半导体的运动控制在线仿真工具可帮助您选择最合适的模块。当电机停止和减速时，其运行会切换到再生模式。电机产生的功率被转移回直流总线电容器。当产生的功率过大时，会过度充电并损坏电容器。在这种情况下，制动IGBT 导通，将多余的电流引至与IGBT 串联连接的外部制动电阻器。这种布置会耗散过多的再生功率，并使电容器电压保持在安全水平。

　　在含风扇、泵和加热器驱动的应用中，再生功率不显著，可以移除制动器。在这种情况下，该模块称为CI 模块，它代表转换器逆变器模块。

　　创新的封装用于功率集成模块

　　通用CIB/CI 模块使用凝胶填充封装，将功率组件封装在外壳内。这种方法涉及一个多级制造工艺，但也许更重要的是，它固有地结合了不均匀材料和接口的额外层，这会削弱模块并降低其鲁棒性。安森美半导体开发压铸模功率集成模块 (TMPIM) 挑战这一规范。顾名思义，开发的工艺是一种单级封装技术，可以用相同的材料创建封装和包围组件的介质。

　　压铸模工艺消除了对多种材料的需求，包括通常用于容纳组件的塑料盒，胶水和包围功率器件的密封剂。除了整体上更高效的制造工艺外，压铸模还能提供十倍的温度循环，从而直接提高能效。这为最终产品的尺寸和形状提供了更大的灵活性，并提供了更高的可靠性和功率密度。

　　迄今为止，安森美半导体已采用其TMPIM 工艺开发和发布了许多模块针对功率要求在3.75 kW 至10 kW 之间的应用，包括六个额定电流分别为25 A，35 A 和50 A 的1200 V CIB 模块。这些器件采用DIP-26 封装，包括CBI 和CI 变体。现在，安森美半导体将扩展其产品系列，提供75 A 和100 A 电流输出的1200 V CBI 模块，并推出一系列额定电流在35 A 和150 A之间的650 V 模块。这些器件将能够满足功率要求高达20 kW 的应用，并采用QLP 封装配置。DIP-26 封装的两侧都有端子，而QLP 是四边形的引线框架封装，所有四个侧面都有端子。

　　封装增强带来更高的功率密度

　　为了适应更高的输出功率水平，安森美半导体进一步开发了其TMPIM 工艺，推出了标准版和增强版。增强版本采用了先进基板，具有较厚铜层，从而无需底板，使两种封装的外形尺寸保持不变。这使制造商根据其功率需求在两者之间进行迁移更为简单。移除底板比相当的模块减少约57％的体积，同时比标准的 TMPIM 封装提高30％热导率。

　　更长的使用寿命

　　通过增加所用铜的厚度，封装具有较低的热阻和较高的热质量，而先进的基板进一步提高了模块的可靠性。

　　如前所述，整个组件，包括芯片、引线框架和焊线，都封装在形成封装的相同的环氧树脂中。在DIP-26 封装中，CBI 和CI 模块都有相同的引脚分配。在CI 模块中，制动端子没有内部连接。

　　安森美半导体自身的竞争对手分析表明，使用其压铸模工艺制造的模块可提供高十倍的温度循环，高3 倍的功率循环，同时具有更好的导热性和整体能效。

　　总结

　　在电机驱动、伺服和HVAC 应用中，VSD 通常采用CIB 或CI 电路的电源模块。安森美半导体通过创新的TMPIM 技术开发功率集成模块，现在能够以更小的封装提供更高的能效和功率密度。